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半導体材料
半導体材料 半導体製造プロセスで用いられるCVD材料・拡散材料はデバイスの特性を左右する極めて重要な材料の一つです。
創業時よりこれらの材料の研究開発に取り組み、世界有数の半導体メーカーへ安定供給しています。
また、製品については半導体メーカーと同様の環境を考慮し、工場の大半をクリーンルーム化し、品質の安定化に努めてい
ます。
品名 化学式 融点・沸点 単位数量
ケイ酸エチル    (TEOS)
Si(C2H5O)4
m.p.=-82.5℃ 、 b.p.=168.8℃
Kg
亜リン酸トリメチル (TMPI)
P(CH3O)3
m.p.=-78℃ 、 b.p.=111℃
Kg
リン酸トリメチル  (TMPO)
PO(CH3O)3
m.p.=-47.1℃ 、 b.p.=196℃
Kg
リン酸トリエチル  (TEPO)
PO(C2H5O)3
m.p.=-56℃、 b.p.=210〜220℃
Kg
ホウ酸トリメチル  (TMB)
B(CH3O)3
m.p.=-27℃ 、 b.p.=67℃
Kg
ホウ酸トリエチル  (TEB)
B(C2H5O)3
m.p.=-84.8℃ 、 b.p.=111.8℃
Kg
通信材料
通信材料 オプトロニクス工業で光ファイバーの需要は、益々大きくなっています。特に光ファイバー通信網の確立は世界的に急務な課題となっています。私共では光ファイバーを造るうえでの直接の原料であるSiCl4(四塩化珪素)・GeCl4(四塩化ゲルマニウム)・POCl3(オキシ塩化リン)等を製造販売しています。
品質面では、特に光通信を阻害する要因となる遷移金属をppbオーダーまで、またOH、H化合物もppmのレベルまで除去しています
品名 化学式 融点・沸点 単位数量
オキシ塩化リン
POCl3
m.p.=1.25℃、b.p.=107.2℃
g
四塩化ゲルマニウム
GeCl4
m.p.=-51.8℃、b.p.=84℃
Kg
四塩化ケイ素

SiCl4

m.p.=-70℃、b.p.=59℃
Kg
三臭化ホウ素
BBr3
m.p.=-46℃、b.p.=91.7℃
g
触媒
触媒
活性触媒
貴金属や希土類金属を触媒として用いる為に種々の化合物を取り揃えております。また、適度に還元力を示し1電子還元剤として利用できます。ルイス酸性、還元性が強く酸素や硫黄にも強く配位します。
重合触媒
主にPET、PENを合成する際に用いられる酸化ゲルマニウムの溶解性を高めるために改質した化合物。粒子径を小さくし、ナノ粒子として改質したもの、その他重合触媒として利用できるものを揃えました。
光触媒
光触媒としての機能が確認されている酸化チタンを粒子径により分類しルチル型・アタナーゼ型のそれぞれを揃えました。
光活性領域を高めるために処理された酸化チタンですが、特に注目すべきは光活性領域が室内光でも対応できる当社製品のチタン触媒YHC-ZX-M1です。
品名 製品特性
Ti系材料
機能性を高める為の改善した化合物等
Ga系材料
溶解性を高める為の改善した化合物等
Ge系材料
機能性を高める為の改善した化合物等
有機EL
有機EL 有機エレクトロルミネッセント素子は、自己発光、低電圧駆動が可能、視野覚依存性がない、高速応答性、高輝度などの液晶にはない特長を持っています。
この素子を用いたディスプレイは、車載および携帯電話用の表示素子としての実用化が始まっており、さらに高性能フルカラーディスプレイを開発するため、それらの研究開発が盛んに行われています。
当社では、有機EL材料研究に役立つと思われる種々の化合物を提供しております。
更なる研究開発にご活用下さい。
 
レアメタル材料
レアメタル材料 ゲルマニウム・ガリウム等の希少金属やホウ素等のファインケミカル それらの化合物は、幅広い用途が開けて来ています。当社では、半導体材料の高純度化技術の蓄積を生かして、高純度金属・酸化物・塩化物を製造販売しております。
 品名
 塩化物
 アルコキシド
Ga化合物
GaCl3
-OMe、-OEt
Ge化合物
GeCl4
-OMe、-OEt
In化合物
InCl3
-OMe、-OEt
Er化合物
ErCl3
-OMe、-OEt
Ln化合物
LnCl3
-OMe、-OEt
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